產品服務

SiC單晶生長爐

發布時間: 2018/09/06 13:05,類別: 產品服務

自主研發設計的SiC單晶生長設備,可用于4到6寸導電及半絕緣型碳化硅單晶的生長制備。采用單室立式雙層水冷不銹鋼結構,由爐膛、真空獲得及測量系統、坩堝桿拉送系統、感應加熱系統、電控系統、中頻電源等組成。可根據客戶對單晶生長設備特殊要求進行產品定制,并提供基礎碳化硅單晶生長技術支持。

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